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英飛凌BSM75GB120DN2原裝IGBT模塊 英飛凌/SIEMENSBSM75GB120DN2原裝IGBT模塊型號：BSM75GB120DN2廠家：英飛凌BSM75GB120DN2特性：?半橋?包括快速返并聯二極管?絕緣金屬底板包裝?開關頻率在10-20KHZ 點擊詳情
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原裝BSM100GB120DLC BSM100GB120DLCK IGBT模塊*新到貨 原裝BSM100GB120DLCBSM100GB120DLCKIGBT模塊*新到貨 型號:BSM100GB120DLCBSM100GB120DLCK廠家:EUPEC/英飛凌電壓:1200V飽和壓降:2.1V兩單元 點擊詳情
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英飛凌原裝FF800R17KE3 FZ800R33KF2C 大功率高耐壓IGBT模塊 EUPEC原裝FF800R17KE3FZ800R33KF2C大功率高耐壓IGBT模塊型號:FF800R17KE3FZ800R33KF2C廠家:EUPEC/英飛凌電流:800A電壓:1700V/3300V封裝及工藝:IGBT 運用這個全新的模塊，用戶可設計出能夠... 點擊詳情
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供應原裝BSM150GT120DN2 IGBT功率模塊 供應原裝BSM150GT120DN2 IGBT功率模塊型號:BSM150GT120DN2廠家:英飛凌/SIEMENS電壓:1200V想了解更多詳情，歡迎來電咨詢!BSM150GT120DN2 IGBT功率模塊:焊電源模塊三相全橋包括快速二極管絕緣金屬底板包裝 隨... 點擊詳情
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英飛凌原裝2單元BSM75GB60DLC IGBT模塊現貨供應 產品型號：BSM75GB60DLC產品品牌： （英飛凌優(yōu)派克）產品Tag：IGBT模塊 BSM75GB60DLC英飛凌原裝2單元BSM75GB60DLCIGBT模塊現貨供應品牌:（英飛凌優(yōu)派克）型號:BSM75GB60DLC電壓:600（V）現貨供應,歡迎來電洽淡! 點擊詳情
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IGBT自主**促進戰(zhàn)略性新興產業(yè)智能化發(fā)展 核心提示：功率半導體的發(fā)展始于20世紀50年代，目前已經發(fā)展到了第四代，IGBT作為目前廣泛采用的第三代功率半導體核心器件，具備處理大功率 功率半導體的發(fā)展始于20世紀50年代，目前已經發(fā)展到了第四代，IGBT作為目前廣泛采用的第三代功率半導體核心器件，具備處理大功率能... 點擊詳情
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大功率電源IGBT損壞的問題成因探討 核心提示：隨著市場對大功率供電設備需求日益激增，IGBT不間斷電源開始發(fā)揮越來越重要的作用。IGBT設備性能的好壞直接影響大功率電源的供電 隨著市場對大功率供電設備需求日益激增，IGBT不間斷電源開始發(fā)揮越來越重要的作用。IGBT設備性能的好壞直接影響大功率電源的供電效... 點擊詳情
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高壓IGBT變頻器的特點及應用 變頻器是利用電力半導體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現代電力電子技術和微電子技術的迅猛發(fā)展，高壓大功率變頻調速裝置不斷地成熟起來，原來一直難于解決的高壓問題，近年來通過器件串聯或單元串聯得到了很好的解決。其應用的領域和范圍也越來越為廣范，這使... 點擊詳情
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EUPEC原裝FZ800R12KE3,800安1200伏IGBT！ 英飛凌原裝FZ800R12KE3,800安1200伏IGBT！型號:FZ800R12KE3 800A1200V1U廠家:英飛凌 點擊詳情