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  • 預(yù)防可控硅元件失控的方法是什么? 可控硅勵(lì)磁裝置失控的原因是非常多的,經(jīng)常進(jìn)行維護(hù)是減少問(wèn)題出現(xiàn)的方法,平時(shí)的時(shí)候一定要對(duì)電站進(jìn)行定期的檢查,同時(shí)為了避免設(shè)備失控采取有效地方法,下面就為大家詳細(xì)的介紹一下預(yù)防可控硅元件失控的方法是什么?主要有下面五個(gè)方面。①三相觸發(fā)器輸出脈沖寬度、幅值以及相位正常,要是... 點(diǎn)擊詳情
  • 面向汽車(chē)應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談 諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件,要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注,以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮,并保持很高的可靠性。本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問(wèn)題和故障模式進(jìn)行了探討。各種工業(yè)應(yīng)... 點(diǎn)擊詳情
  • 西門(mén)康IGBT模塊在使用中的注意事項(xiàng) 西門(mén)康IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一... 點(diǎn)擊詳情
  • 什么是igbt IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低... 點(diǎn)擊詳情
  • IGBT在不間斷電源中的應(yīng)用 1.引言 在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT成 點(diǎn)擊詳情
  • 富士IGBT模塊 在富士IGBT模塊的使用過(guò)程中,有時(shí)候需要將兩塊IGBT模塊進(jìn)行并聯(lián)操作,那么這樣做有什么好處呢,接下來(lái)小編簡(jiǎn)單為大家介紹一下。1、降成本的需求。以兩點(diǎn)平為例,直接購(gòu)買(mǎi)成品模塊固然可提高產(chǎn)品穩(wěn)定性,但是相應(yīng)的成本增加不是一般公司能承受的,使用多模塊并聯(lián)可明顯降低成本。一... 點(diǎn)擊詳情
  • IGBT 英飛凌IGBT模塊 英飛凌IGBT英飛凌IGBT模塊1979年,MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期,用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形... 點(diǎn)擊詳情
  • 三菱模塊PM100RSE120三菱電梯模塊現(xiàn)貨熱銷(xiāo) 北京固力通達(dá)機(jī)電設(shè)備有限公司現(xiàn)貨熱銷(xiāo)產(chǎn)品PM100RSE120PM150RSE120PM600HSA120PM800HSA120 PM300RLA120PM300CLA120 PM450CLA060PM600CLA060PM200CLA120PM200CLA060PM1... 點(diǎn)擊詳情
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