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富士IGBT的工作特性介紹
IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場上銷售的多為此類模...
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開關(guān)電源簡介
開關(guān)電源簡介開關(guān)電源不同于線性電源，開關(guān)電源利用的切換晶體管多半是在全開模式（飽和區(qū)）及全閉模式（截止區(qū)）之間切換，這兩個模式都有低耗散的特點(diǎn)，切換之間的轉(zhuǎn)換會有較高的耗散，但時(shí)間很短，因此比較節(jié)省能源，產(chǎn)生廢熱較少。理想上，開關(guān)電源本身是不會消耗電能的。電壓穩(wěn)壓是透過...
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電源模塊的應(yīng)用及電流的選擇
電源模塊是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應(yīng)器，其特點(diǎn)是可為專用集成電路(ASIC)、數(shù)字信號處理器(DSP)、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)及其他數(shù)字或模擬負(fù)載提供供電。一般來說，這類模塊稱為負(fù)載(POL)電源供應(yīng)系統(tǒng)或使用點(diǎn)電源供應(yīng)系統(tǒng)(PUP...
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IGBT模塊的散熱技術(shù)發(fā)展
IGBT模塊散熱技術(shù) 散熱的過程1IGBT在結(jié)上發(fā)生功率損耗;2結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到IGBT模塊殼上;
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CM200DU-24H三菱IGBT模塊適用于哪些地方
CM200DU-24H三菱IGBT模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOS...
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第六代1200V槽柵FS-IGBT模塊
摘要：近幾年來，主要用于電能控制與變換的電力電子學(xué)迅速地?cái)U(kuò)展了它的應(yīng)用領(lǐng)域。市場對于*新的電能變換系統(tǒng)的要求主要集中在：尺寸小、重量輕以及效率高。因此，就要求功率半導(dǎo)體技術(shù)要在獲得更高性能、更先進(jìn)功能以及更大功率處理能力等方面有所進(jìn)步。系統(tǒng)縮小尺寸的解決方案之一是使用i...
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新型復(fù)合電力電子器件——IGBT模塊
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合電力電子器件。IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。鑒于IGBT的參數(shù)特性，目前IGBT主要應(yīng)用在電機(jī)、變換器（逆變器）、變頻器、UPS、E...
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IGBT的市場現(xiàn)狀分析
IGBT的應(yīng)用及設(shè)計(jì)作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。在工業(yè)應(yīng)用方面，如交通控制、功率變換、工業(yè)電機(jī)、不間斷電源、風(fēng)電與太陽能設(shè)備，以及用于自動控制的變頻器。在消費(fèi)電子方面，IGBT用于...
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